半導體材料的能帶結構與載子特性

📝 歷屆考古題

• 111年 高考申論題 第一題
  請分別說明能隙以及直接能隙的定義。（10 分）
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• 111年 高考申論題 第二題
  請定義室溫下的 GaN、絕對零度時的金屬、室溫下的金屬，此三種材料的費米能階，並指出其在能帶圖中的位置。（15 分）
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• 111年 高考申論題 第三題
  GaN 可用於製作藍光二極體，請說明發光二極體的發光機制。（5 分）
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• 109年 高考申論題 第一題
  矽晶本質半導體（Intrinsic Semiconductor）的電荷載體濃度在室溫時甚低，但溫度上升至約400 K以上時，電荷載體濃度隨溫度變化極大，請說明原因。（8分）
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• 109年 高考申論題 第二題
  何謂n型外質半導體（n-Type Extrinsic Semiconductor）與P型外質半導體？（8分）
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• 109年 高考申論題 第三題
  n型外質半導體與P型外質半導體在極低的溫度下（如＜200 K）就有相當高的電荷載體濃度且隨溫度上升而增大，但在相當大的溫度範圍內（如200～400 K），其電荷載體濃度幾乎不變，當溫度再升高時（如＞4…
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